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BSZ900N20NS3 G /MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N20NS3 G的规格信息
BSZ900N20NS3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:15.2 A

Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:62.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:8 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ9N2NS3GXT SP000781806

单位重量:100 mg

供应商BSZ900N20NS3 G
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